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SI7121ADN-T1-GE3  与  BSZ120P03NS3E G  区别

型号 SI7121ADN-T1-GE3 BSZ120P03NS3E G
唯样编号 A-SI7121ADN-T1-GE3 A-BSZ120P03NS3E G
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 P Channel 30 V 15 mO 3.5 W TrenchFET Power Mosfet - PowerPak 1212-8 (3x3)
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 21mΩ 9mΩ
上升时间 - 11ns
漏源极电压Vds 2.5V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3.5W(Ta),27.8W(Tc) 52W
Qg-栅极电荷 - 45nC
栅极电压Vgs ±25V 25V
正向跨导 - 最小值 - 22S
典型关闭延迟时间 - 23ns
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 PowerPak1212-8 -
连续漏极电流Id 18A 40A
工作温度 -50°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
系列 TrenchFET® OptiMOSP3
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1870pF @ 15V -
长度 - 3.3mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 50nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 - 5ns
典型接通延迟时间 - 13ns
高度 - 1.10mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI7121ADN-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

PowerPAK®1212-8 PowerPak1212-8

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阶梯数 价格
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